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J-GLOBAL ID：200903009403599428

位相シフトフォトマスクブランクス、位相シフトフォトマスク、及びそれらの製造方法。

Inventor： ▲いさお▼ 昭彦 ,  川田 前 ,  林 厚 ,  吉岡 信行 ,  前床 和行
Applicant, Patent owner： アルバック成膜株式会社 ,  三菱電機株式会社
Agent (1)： 石島 茂男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995091401
Publication number (International publication number)：1996262688
Application date： Mar. 24, 1995
Publication date： Oct. 11, 1996
Summary：

【要約】【目的】 光学的特性と耐薬品性を満足させ、パターン精度がよく、パターン欠けが生じない位相シフトフォトマスクを提供することにある。【構成】 露光光の位相をシフトさせる位相シフト膜10、40を成膜する際、厚みの中央付近を、単一の組成で成膜したときにサイドエッチング速度Sが遅い組成にして位相シフトフォトマスクブランクス31、37を作り、前記位相シフト膜10、40の厚み方向で異なるサイドエッチング量の差を小さくし、ドライエッチングにより位相シフトフォトマスク35、39を作る際、シフター部7、17の側面を透明基板5、15から略垂直に立ち上げる。この位相シフト膜としてモリブデンシリサイド酸化窒化膜を用いる場合にはスパッタリングの際のNOガス添加割合を調節すればよい。

Claim (excerpt)：

透明基板上に露光光の位相をシフトさせる位相シフト膜を成膜して位相シフトフォトマスクブランクスを製造する位相シフトフォトマスクブランクス製造方法であって、前記位相シフト膜の成膜の際、該位相シフト膜の厚みの中央付近を、単一の組成で成膜したときにサイドエッチング速度が遅い組成とし、パターンニングされたフォトレジスト膜で前記位相シフト膜をマスクしてドライエッチングするときの、前記位相シフト膜の厚み方向で異なるサイドエッチング量の差を小さくしたことを特徴とする位相シフトフォトマスクブランクス製造方法。

IPC (2)：

G03F 1/08 ,  H01L 21/027

FI (3)：

G03F 1/08 A ,  H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 528

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• フォトマスクブランクスおよびフォトマスク
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-204556   Applicant：アルバック成膜株式会社