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J-GLOBAL ID：200903047236646850
フォトマスクブランクスおよびフォトマスク
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
宮崎 明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993204556
Publication number (International publication number)：1995043888
Application date： Jul. 26, 1993
Publication date： Feb. 14, 1995
Summary：
【要約】 (修正有)【目的】ウエットエッチングによって位相シフトフォトマスクのパターンを切ることが可能であるとともに、吸収係数の大きな位相シフター層であっても光の透過率を高くすることが可能になり、更に、低反射率または高反射率のハーフトーンフォトマスクの制作が可能で、しかも、フォトマスクの製造プロセスが単純で手間のかからないフォトマスクブランクスおよびフォトマスクを提供する。【構成】フォトマスクブランクスおよびフォトマスクは、透明基板11の上に2層以上の位相シフト層5,6を形成し、各位相シフト層5,6ごとに膜質および膜厚を変えて、エッチング特性と光学的特性を膜厚の方向に変化させている。
Claim (excerpt)：
透明基板の上に2層以上の位相シフト層を形成し、各位相シフト層ごとに膜質および膜厚を変えて、エッチング特性と光学的特性を膜厚の方向に変化させていることを特徴とするフォトマスクブランクスおよびフォトマスク。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 21/30 502 P
, H01L 21/30 528
