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J-GLOBAL ID：200903009494962120

荷電粒子ビーム照射方法及び装置

Inventor： 秋山 浩 ,  平本 和夫 ,  松田 浩二
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998057695
Publication number (International publication number)：1999253563
Application date： Mar. 10, 1998
Publication date： Sep. 21, 1999
Summary：

【要約】【課題】荷電粒子ビームを出射する加速器の制御が簡単で、かつ走査電磁石の電源のコストを低減できる荷電粒子ビーム照射方法及び照射装置を提供することにある。【解決手段】加速器10から出射された荷電粒子ビームを、電磁石31a,31bにより走査しがら、荷電粒子ビームの進行方向に患部を複数に分割してなる各層に照射する荷電粒子ビーム照射方法において、ある第1の層に照射する荷電粒子ビームの強度を、前記荷電粒子ビームの進行方向に対して前記第1の層よりも深い位置にある第2の層に照射する荷電粒子ビームの強度よりも低くする。

Claim (excerpt)：

加速器から出射された荷電粒子ビームを、電磁石により走査しながら、前記荷電粒子ビームの進行方向に患部を複数に分割してなる各層に照射する荷電粒子ビーム照射方法において、ある第1の層に照射する荷電粒子ビームの強度を、前記荷電粒子ビームの進行方向に対して前記第1の層よりも深い位置にある第2の層に照射する荷電粒子ビームの強度よりも低くすることを特徴とする荷電粒子ビーム照射方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 荷電粒子ビーム装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-261605   Applicant：株式会社日立製作所