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J-GLOBAL ID：200903009513078903

半導体レーザ素子及びその製造方法

Inventor：
厚主 文弘

About 厚主 文弘

, 
川戸 伸一

About 川戸 伸一


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (1)： 小池 隆彌
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999264963
Publication number (International publication number)：2001094207
Application date： Sep. 20, 1999
Publication date： Apr. 06, 2001
Summary：
【要約】【課題】 本発明は、高出力動作の特性に優れた窓構造半導体レーザ素子のプロセスの制御性、信頼性に優れた半導体レーザ素子構造とその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 第1導電型基板上に、第1導電型の第1クラッド層と、量子井戸活性層と、第2導電型の第2クラッド層と、共振器方向にリッジストライプからなる第2導電型の第3クラッド層と、第3クラッド層のリッジストライプ側面を埋め込むように構成された第1導電型の電流ブロック層と、第3クラッド層上に形成された第2導電型のキャップ層と、キャップ層上の共振器端面近傍にリッジストライプと直交する方向に形成された誘電体膜を有する構成とし、且つ前記誘電体膜直下の量子井戸活性層のバンドギャップが共振器内部の量子井戸活性層のバンドギャップよりも大きくする。
Claim (excerpt)：
第1導電型基板上に、第1導電型の第1クラッド層と、量子井戸活性層と、第2導電型の第2クラッド層と、共振器方向にリッジストライプからなる第2導電型の第3クラッド層と、第3クラッド層のリッジストライプ側面を埋め込むように構成された第1導電型の電流ブロック層と、第3クラッド層上に形成された第2導電型のキャップ層を備えた半導体レーザ素子において、前記キャップ層上の共振器端面近傍に前記リッジストライプと直交する方向に誘電体膜が形成され、前記量子井戸活性層の前記誘電体膜直下のバンドギャップが共振器内部のバンドギャップよりも大きいことを特徴とする半導体レ-ザ素子。
IPC (3)：
H01S 5/16 ,  H01S 5/227 ,  H01S 5/343
FI (3)：
H01S 5/16 ,  H01S 5/227 ,  H01S 5/343
F-Term (11)：
5F073AA13 ,  5F073AA51 ,  5F073AA53 ,  5F073AA74 ,  5F073AA83 ,  5F073AA87 ,  5F073CA05 ,  5F073CB10 ,  5F073DA05 ,  5F073DA16 ,  5F073DA35
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (1)

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