半導体レーザ装置及びその製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：竹村壽
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000282852
Publication number (International publication number)：2002094168
Application date： Sep. 19, 2000
Publication date： Mar. 29, 2002
Summary：

【要約】【課題】 3ビーム戻り光対策に優れ、且つ量産性が大きく、精度の高い3ビーム法を用いた光ピックアップ用の半導体レーザ素子を有する半導体レーザ装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 3ビーム法を用いる光ピックアップに用いるLDチップ101を1つ以上含有し、このLDチップをサブマウント102を介して金属ステム108上にマウントする半導体レーザ装置において、LDチップのレーザビーム出射側面の直下のサブマウント側面をこのレーザビーム出射側面に対して3度以上30度以下の角度θとなるように傾斜(傾斜面111)させて配置する。また、このとき使用されるサブマウントは、サブマウント基板をダイシングによりカットして量産する。サブマウント側に3ビーム戻り光が戻ってくると、LDチップが搭載されたサブマウント側面で反射光は光学系に混入しないように反射され、トラッキングエラーを引き起こすような可能性が著しく減少する。

Claim (excerpt)：

メインビーム及びこのメインビームの位置ずれを補正するサブビームを有する3ビームを回折格子によって発生させるレーザビームを出射する半導体レ-ザチップと、前記半導体レーザチップを支持するサブマウントとを備え、前記サブマウントは、少なくとも1つの側面を有し、その側面の1つは、このサブマウントの平面と実質的に垂直であり、且つ前記半導体レーザチップのレーザビームが出射される側面の直下にあって、この出射側面とは3度以上30度以下の角度で傾斜していることを特徴とする半導体レーザ装置。

IPC (2)：

H01S 5/022 , H01L 23/12

FI (3)：

H01S 5/022 , H01L 23/12 F , H01L 23/12 J

F-Term (10)：

5F073AA13 , 5F073AA74 , 5F073AB27 , 5F073AB29 , 5F073BA04 , 5F073CA05 , 5F073CB02 , 5F073EA04 , 5F073EA26 , 5F073FA15

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

特開昭62-026653
特開昭63-175490
特開昭62-026653

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