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J-GLOBAL ID:200903009643771597

炭素クラスター化合物を用いた物性制御方法および炭素クラスター化合物およびその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994320725
Publication number (International publication number):1996175812
Application date: Dec. 22, 1994
Publication date: Jul. 09, 1996
Summary:
【要約】【目的】 クラスターを構成要素に含む化合物を用いて、結晶の骨格を保ったままクラスターの結晶内での方向を変えることにより、化合物の物性を制御する方法を提供する。【構成】 クラスターとその他の分子からなる化合物の結晶を用い、結晶の骨格を変えずに、クラスターの結晶内での向きを温度、磁場、電場、圧力によって変えることにより、クラスター周囲の対称性を変え、化合物の電子状態を変化させて電気伝導度、比熱、熱伝導度、誘電率、反射率、屈折率、磁化率等の物性を制御する。
Claim (excerpt):
炭素クラスターC<SB>60</SB>と、Liを除く1a族元素Aと2a族元素Bと希土類元素Cの少なくともいずれかから構成され、前記元素が前記炭素クラスターの格子間に入り、AxByCz(C<SB>60</SB>)u(ただし、0≦x,y,z≦6,1≦x+y+z+u≦12,u=1)で示される炭素クラスター化合物中の、または、炭素クラスターC<SB>60</SB>と、Liを除く1a族元素Aと2a族元素Bと希土類元素Cの少なくともいずれかと、アンモニア分子から構成され、前記元素とアンモニア分子が前記クラスターの格子間に入り、AxByCz(NH<SB>4 </SB>)t(C<SB>60</SB>)u(ただし、0≦x,y,z≦6,0<t≦6,1≦x+y+z+u≦12,u=1)で示される炭素クラスター化合物中の、前記炭素クラスターの向きを変えることにより、磁化率と電気伝導度と比熱と熱伝導度と体積を制御することを特徴とする炭素クラスター化合物を用いた物性制御方法。
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)

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