Pat
J-GLOBAL ID：200903009677838062

電力変換器の制御装置

Inventor：
大田 悟

About 大田 悟


Applicant, Patent owner：
東芝三菱電機産業システム株式会社

About 東芝三菱電機産業システム株式会社


Agent (1)： 山下 一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005335355
Publication number (International publication number)：2007143327
Application date： Nov. 21, 2005
Publication date： Jun. 07, 2007
Summary：
【課題】自己消弧型半導体素子を熱的に保護しながら、電力変換器の運転稼働率を向上させるようにした電力変換器の制御装置を提供する。【解決手段】交流電力系統に接続され、PWM制御を行う電力変換装置に用いられる電力変換器3の制御装置8において、各相の過電流を検出する過電流検出手段85と、この過電流検出手段により何れかの相の過電流が検出されたとき、当該相のゲートパルスを停止するゲートブロック手段84と、前記何れかの相の過電流が解消したとき当該相のゲートパルスの出力を再開するゲートパルス再開手段とを有し、前記ゲートパルス再開手段のインタロック条件として、当該相を出力する前記電力変換器の自己消弧型半導体素子の熱的制約条件88を設ける。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
交流電力系統に接続され、PWM制御を行う電力変換装置に用いられる電力変換器の制御装置であって、 各相の過電流を検出する過電流検出手段と、 この過電流検出手段により何れかの相の過電流が検出されたとき、当該相のゲートパルスを停止するゲートブロック手段と、 前記何れかの相の過電流が解消したとき当該相のゲートパルスの出力を再開するゲートパルス再開手段と を有し、 前記ゲートパルス再開手段のインタロック条件として、当該相を出力する前記電力変換器の自己消弧型半導体素子の熱的制約条件を設けたことを特徴とする電力変換器の制御装置。
IPC (1)：
H02M 7/48
FI (1)：
H02M7/48 M
F-Term (14)：
5H007AA17 ,  5H007BB05 ,  5H007BB07 ,  5H007CA02 ,  5H007CB02 ,  5H007CC07 ,  5H007DB02 ,  5H007DC08 ,  5H007EA02 ,  5H007EA14 ,  5H007FA03 ,  5H007FA19 ,  5H007GA05 ,  5H007GA08
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1) Cited by examiner (8)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM