半導体集積回路およびその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995235833
Publication number (International publication number)：1997082892
Application date： Sep. 13, 1995
Publication date： Mar. 28, 1997
Summary：

【要約】【課題】面積の小さい可変容量コンデンサを搭載した半導体集積回路を提供すること。【解決手段】BS/CS-FM変調器用のPLL回路中のVCO回路の可変容量部2に上部電極と、高誘電率膜と、下部電極の積層構造にバイアス電圧を印加してなる可変容量コンデンサを搭載した。

Claim (excerpt)：

金属/高誘電率材料/金属又は金属/高誘電率材料/半導体の積層構造からなり、該積層構造にバイアス電圧を印加する手段を有する少なくとも一つの可変容量コンデンサを設けてなることを特徴とする半導体集積回路。

IPC (2)：

H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (2)：

H01L 27/04 C , H01L 27/04 V

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (11)

特開昭57-157513
特開平1-162381
薄膜コンデンサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-131130 Applicant：株式会社東芝

Show all

Return to Previous Page