不揮発性メモリ装置の製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小池晃 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991313764
Publication number (International publication number)：1993129621
Application date： Oct. 31, 1991
Publication date： May. 25, 1993
Summary：

【要約】【構成】基板1上に積層されるフローティングゲート電極層3の表面を研磨処理し平坦化させ後、ゲート絶縁膜を介してコントロールゲート電極層を積層させた不揮発性メモリ装置の製造方法である。【効果】フローティングゲート電極から熱エネルギーによって放出される電子数を少なくすることができ、データー保持特性の向上を図ることができる。

Claim (excerpt)：

基板上にゲート絶縁膜を介して積層されたフローティングゲート電極層と、該フローティングゲート電極層上に絶縁膜を介して形成されたコントロールゲート電極を有する不揮発性メモリ装置の製造方法において、上記フローティングゲート電極層の形成後に、該フローティングゲート電極層の表面の研磨処理を行い、その後、この研磨処理されたフローティングゲート電極層上に絶縁膜を介してコントロールゲート電極層を積層させることを特徴とする不揮発性メモリ装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 29/788 , H01L 29/792

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

特開平1-226158
特開平1-308079
特開平3-132076

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