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J-GLOBAL ID：200903009692606143

光半導体素子及び光半導体装置

Inventor： 宮本 和弘 ,  佐野 道宏 ,  五月女 博明
Applicant, Patent owner： スタンレー電気株式会社
Agent (1)： 高橋 敬四郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000299755
Publication number (International publication number)：2002111059
Application date： Sep. 29, 2000
Publication date： Apr. 12, 2002
Summary：

【要約】【課題】 光半導体素子において、正孔のn型クラッド層へのオーバーフローと光取り出し効率の低下を防止する。【解決手段】 n型MgxZn1-xOクラッド層5と、その上に形成されたInyGa1-yN活性層11と、その上に形成されたp型MgzZn1-zOクラッド層15と、n型MgxZn1-xOクラッド層5に対して電気的にコンタクトを形成する第1の電極23と、p型MgzZn1-zOクラッド層15に対して電気的にコンタクトを形成する第2の電極25とを含む。

Claim (excerpt)：

n型MgxZn1-xOクラッド層と、前記n型MgxZn1-xOクラッド層上に形成されたInyGa1-yN活性層と、前記InyGa1-yN活性層上に形成されたp型MgzZn1-zOクラッド層と、前記n型MgxZn1-xOクラッド層に対して電気的にコンタクトを形成する第1の電極と、前記p型MgzZn1-zOクラッド層に対して電気的にコンタクトを形成する第2の電極とを含む光半導体素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01S 5/343

FI (2)：

H01L 33/00 C ,  H01S 5/343

F-Term (19)：

5F041AA03 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA41 ,  5F041CA82 ,  5F041CA88 ,  5F041CB15 ,  5F041DA14 ,  5F041DA20 ,  5F041DB08 ,  5F041FF06 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CA22 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073CB19 ,  5F073CB22 ,  5F073DA06

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-036363   Applicant：株式会社東芝