半導体デバイスのレーザー処理方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994309826
Publication number (International publication number)：1996148428
Application date： Nov. 18, 1994
Publication date： Jun. 07, 1996
Summary：

【要約】【目的】非晶質もしくは多結晶半導体のレーザー結晶化工程においてリッジの発生を抑制する半導体デバイスの作製方法を提供する。【構成】レーザー結晶化工程を2度に分けておこなう。まず、最初はやや強度の弱いレーザー光を用いて、真空中においてレーザー照射をおこなう。次に、初めのレーザー光より強度を強くして、真空中、大気あるいは酸素雰囲気中においてレーザー照射をおこなう。最初の、真空中のレーザー照射では結晶化は不十分であるが、この照射により、リッジの発生を抑制することができ、次に、真空中、大気あるいは酸素雰囲気中でのレーザー照射によって十分な結晶化をおこなってもリッジは発生しない。

Claim (excerpt)：

100Pa以下の真空中においてレーザー光を照射する第1の工程と、第1の工程の後に、第1の工程のレーザー光のエネルギー密度の1.3倍以上のエネルギー密度のレーザー光を照射する第2の工程と、を有することを特徴とする半導体デバイスのレーザー処理方法。

IPC (3)：

H01L 21/20 , H01L 21/268 , H01L 21/324

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

特開昭57-162433
薄膜状半導体装置およびその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-167502 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
薄膜状半導体装置の作製方法。
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-191934 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所

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