レーザー処理方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995206551
Publication number (International publication number)：1996088196
Application date： Jul. 20, 1995
Publication date： Apr. 02, 1996
Summary：

【要約】【目的】レーザー光を用いた半導体のアニールの際に、レーザー出力を安定に保ちながらレーザー照射する技術を提供する。【構成】発振器2で発振されたレーザー光は、全反射ミラー5、6で反射され、増幅器3で増幅されて、全反射ミラー7、8でそれぞれ反射され、光学系4に入射して、線状ビームに成形される。線状ビームはミラー9で反射されて、ステージ10上の試料11に照射される。レーザーの出力エネルギーはそのレーザーが安定に出力できる範囲で固定する。全反射ミラー8と光学系4との間に、互いに透過率の異なる複数の減光フィルターを挿脱することにより、照射エネルギーを変化させる。

Claim (excerpt)：

半導体デバイスが形成された基板もしくは半導体デバイスとなるべき物体が形成された基板に対して線状のレーザー光を走査しつつ照射する工程で、レーザーが最も安定に発振できるエネルギーの範囲より低いエネルギーでレーザー照射を行う場合に、減光フィルターを1枚以上用いてエネルギー調節を行うことを特徴とするレーザー処理方法。

IPC (3)：

H01L 21/268 , H01L 21/20 , H01S 3/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

レーザアニール装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-287436 Applicant：日新電機株式会社
半導体素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-248642 Applicant：富士ゼロックス株式会社
特開昭58-056316

Show all

Return to Previous Page