フォトダイオードとその製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：宮崎昭夫 , 石橋政幸 , 緒方雅昭
Gazette classification：再公表公報
Application number (International application number)：JP2005006660
Publication number (International publication number)：WO2005098966
Application date： Apr. 05, 2005
Publication date： Oct. 20, 2005
Summary：

ショットキーフォトダイオードは、半導体層と、半導体層に接して設けられた導電膜と、を有する。導電膜は、穴と、穴の周囲に設けられ、導電膜の膜面に対する入射光によって、励起された表面プラズモンによる共鳴状態を膜面に生じさせる周期構造とを有する。フォトダイオードは、励起された表面プラズモンによって導電膜と半導体層との界面に発生する近接場光を検出する。穴は、入射光の波長より小さな直径を有する。

Claim (excerpt)：

入射光の波長よりも小さな直径を有する穴と、前記穴の周囲に設けられ前記導電膜の膜面に対する入射光によって、励起された表面プラズモンによる共鳴状態を前記膜面に生じさせる周期構造と、を有する導電膜と、前記導電膜の前記穴近傍に前記導電膜と接して設けられた半導体層と、を有し、前記励起された表面プラズモンによって前記導電膜と前記半導体層との界面において発生した近接場光を検出することを特徴とする、フォトダイオード。

IPC (1)：

H01L 31/108

FI (1)：

H01L31/10 C

F-Term (5)：

5F049MA05 , 5F049NA03 , 5F049QA03 , 5F049TA12 , 5F049TA13

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (8)

特開昭59-108376号公報
光素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-008082 Applicant：工業技術院長
受光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-008083 Applicant：工業技術院長

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