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J-GLOBAL ID：200903009707871175

放射線検出器の製造方法

Inventor： 本村 知久
Applicant, Patent owner： 大日本印刷株式会社
Agent (1)： 須山 佐一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004329642
Publication number (International publication number)：2006138772
Application date： Nov. 12, 2004
Publication date： Jun. 01, 2006
Summary：

【課題】形成されるアノード電極の高さがそれぞれ基板表面まで均一に達していて、電極先端に突起形状のない放射線検出器の製造方法を提供する。【解決手段】2層基板の第1の導体層32aに所定の配線パターン32pを形成する工程と、第2の導体層32bにアノード電極に対応する開口を形成する工程と、第2の導体層に高エネルギービームを照射して開口の位置に、第1の導体層の配線パターンに達する貫通孔40を形成する工程と、貫通孔を金属めっきにより金属で充填し、金属めっき層41、42を形成する工程と、形成された金属めっき層及び第2の導体層を所定の厚さまで除去する工程と、パターン形成して貫通孔から突出するアノード電極46とリード配線45とカソード電極44を形成する工程とを有する。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

第1の導体層と第2の導体層を有する2層基板の前記第1の導体層に所定の配線パターンを形成する工程と、 前記2層基板の第2の導体層にアノード電極に対応する開口を形成する工程と、 前記2層基板の第2の導体層に高エネルギービームを照射して前記開口の位置に、前記第1の導体層の配線パターンに達する貫通孔を形成する工程と、 前記貫通孔を金属めっきにより金属で充填し、充填された前記貫通孔及び第2の導体層上に前記金属めっきによりさらに金属めっき層を形成する工程と、 前記形成された金属めっき層及び第2の導体層を所定の厚さまで除去する工程と、 前記所定の厚さまで除去された前記第2の導体層をパターン形成して前記貫通孔から突出するアノード電極と前記アノード電極を囲むカソード電極を形成する工程と を有することを特徴とする放射線検出器の製造方法。

IPC (1)：

G01T 1/28

FI (1)：

G01T1/28

F-Term (5)：

2G088GG25 ,  2G088JJ05 ,  2G088JJ09 ,  2G088JJ31 ,  2G088JJ37

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 放射線検出器の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-276940   Applicant：株式会社東芝