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J-GLOBAL ID：200903009732991550

面発光型半導体レーザ素子

Inventor： 坂本 朗
Applicant, Patent owner： 富士ゼロックス株式会社
Agent (1)： 木村 高久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997012541
Publication number (International publication number)：1998209567
Application date： Jan. 27, 1997
Publication date： Aug. 07, 1998
Summary：

【要約】【課題】 キャップ層の影響による半導体多層反射膜による反射鏡の反射率の低下を防止し、レーザ発振しきい値の向上をはかるとともに、消費電力の増大を防止することのできる面発光型半導体レーザを提供する。【解決手段】本発明の第1の特徴は、導電性を有する反射鏡の上面に電流注入用の電極を配設してなる面発光型半導体レーザにおいて、キャップ層および反射鏡最表面の半導体層の膜厚を、所定の厚さに構成するとともに、反射鏡最表面の半導体層の厚さはその媒質の屈折率で補正した波長の1/4よりも小さく、かつキャップ層および反射鏡最表面の半導体層との膜厚をそれらの媒質の屈折率で補正した厚さの和は波長の1/4よりも大きくなるように調整したことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

導電性を有する反射鏡の上面に電流注入用の電極を配設してなる面発光型半導体レーザにおいて、反射鏡最表面の半導体層の厚さはその媒質の屈折率で補正した波長の1/4よりも小さくであり、かつキャップ層および反射鏡最表面の半導体層との膜厚をそれらの媒質の屈折率で補正した厚さの和は波長の1/4よりも大きくなるように調整したことを特徴とする面発光型半導体レーザ素子

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開平4-273492
  
• 半導体レーザアレイ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-245297   Applicant：株式会社東芝