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J-GLOBAL ID:200903009758977172
半導体装置およびその製造方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
横山 淳一
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999297040
Publication number (International publication number):2001118922
Application date: Oct. 19, 1999
Publication date: Apr. 27, 2001
Summary:
【要約】【課題】 半導体装置に関し、エレクトロマイグレーション耐性を高めることができる配線構造およびその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 半導体装置の配線構造において、高融点金属または高融点金属窒化物からなる最下層1b、銅、銅合金、アルミニウム、アルミニウム合金、銀または銀合金からなる最上層1aの多層膜からなる第一のスルービア5を、配線上を覆っている絶縁膜2aに開設された開口の底面を表出した最上層1aに密着するように構成する。
Claim (excerpt):
配線と、第一のスルービアとを有し、該配線は、上面が絶縁膜で覆われ、銅、銅合金、アルミニウム、アルミニウム合金、銀または銀合金からなる最上層と、高融点金属または高融点金属窒化物からなる最下層とを有する多層膜からなり、該第一のスルービアは、該多層膜と同一の層構成で埋め込まれており、該絶縁膜に開設された開口の底面に表出した該最上層に密着していることを特徴とする半導体装置。
F-Term (36):
5F033HH08
, 5F033HH09
, 5F033HH11
, 5F033HH12
, 5F033HH14
, 5F033HH17
, 5F033HH32
, 5F033HH33
, 5F033JJ08
, 5F033JJ09
, 5F033JJ11
, 5F033JJ12
, 5F033JJ14
, 5F033JJ17
, 5F033JJ32
, 5F033JJ33
, 5F033KK08
, 5F033KK09
, 5F033KK11
, 5F033KK12
, 5F033KK14
, 5F033KK17
, 5F033KK32
, 5F033KK33
, 5F033MM01
, 5F033MM02
, 5F033MM12
, 5F033MM13
, 5F033NN06
, 5F033NN07
, 5F033PP15
, 5F033PP27
, 5F033PP28
, 5F033XX05
, 5F033XX33
, 5F033XX34
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (6)
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多層配線形成方法および構造
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-047777
Applicant:ソニー株式会社
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半導体装置およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-102315
Applicant:日本電信電話株式会社
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半導体装置及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-033683
Applicant:株式会社東芝
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特開昭63-143845
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半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-013922
Applicant:日本電気株式会社
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Al系配線構造及びAl系配線構造の形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-238904
Applicant:ソニー株式会社
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Cited by examiner (8)
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多層配線形成方法および構造
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-047777
Applicant:ソニー株式会社
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半導体集積回路装置の製造方法および半導体集積回路装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-182813
Applicant:株式会社日立製作所
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半導体装置およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-102315
Applicant:日本電信電話株式会社
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半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-013922
Applicant:日本電気株式会社
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半導体装置及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-033683
Applicant:株式会社東芝
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半導体装置およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-163041
Applicant:ソニー株式会社
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特開昭63-143845
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Al系配線構造及びAl系配線構造の形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-238904
Applicant:ソニー株式会社
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