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J-GLOBAL ID:200903009761056495

光学品質のダイヤモンド材料

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (4): 浅村 皓 ,  浅村 肇 ,  池田 幸弘 ,  長沼 暉夫
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2004553030
Publication number (International publication number):2006507204
Application date: Nov. 20, 2003
Publication date: Mar. 02, 2006
Summary:
光デバイス若しくは素子中に、又は光デバイス若しくは素子として、使用するのに適したCVD単結晶ダイヤモンド材料。それは、例えば、光学窓、レーザ窓、光反射器、光回折器及び格子、及びエタロンなど広範囲の光学用途に使用するのに適している。CVDダイヤモンド材料は、結晶欠陥の発生を制御するために制御された低いレベルの窒素の存在下でCVD法によって製造され、これにより、光用途のための重要な特性を有するダイヤモンド材料を得る。
Claim (excerpt):
室温(公称20°C)で測定するとき、 i)透過した波面が、少なくとも0.5mmの特定の厚さを有し、適切な平坦度に加工されたダイヤモンドの透過中に、少なくとも1.3mm×1.3mmの特定の面積にわたって測定され、予測される幾何形状的な波面とは2干渉縞未満(1干渉縞は測定波長633nmの1/2に等しい光路長の差である)の差で異なる、高い光学的均一性、 ii)少なくとも0.5mmの特定の厚さを有するサンプルを少なくとも1.3mm×1.3mmの特定の面積にわたって本明細書に述べる方法で測定して、分析されるサンプル面積の少なくとも98%に対して、位相ずれの正弦の絶対値|sinδ|が一次に留まり(δがπ/2を超えない)、|sinδ|が0.9を超えないような、低歪みを示す低い光複屈折性、 iii)少なくとも0.5mmの特定の厚さを有するサンプルを少なくとも1.3mm×1.3mmの特定の面積にわたって本明細書に述べる方法で測定して、分析されるサンプル面積の100%に対して、サンプルが一次に留まり(δがπ/2を超えない)、遅軸と速軸に平行な偏光の屈折率間の差をサンプル厚さにわたって平均化した平均値であるΔn[average]の最大値が1.5×10-4を超えないような、低歪みを示す低い光複屈折性、 iv)少なくとも0.5mmの特定の厚さを有するサンプルを、少なくとも1.3mm×1.3mmの特定の面積にわたって本明細書に述べる方法で測定して、+/-0.002以内の精度で2.3964の値を有する有効屈折率、 v)前記ダイヤモンド材料を少なくとも0.5mmの特定の厚さを有するエタロンの形のダイヤモンド板として調製し、1.55μmに近い波長及び公称直径1.2mmのレーザビームを用いて、少なくとも1.3mm×1.3mmの特定の面積にわたって測定するとき、前記材料が、板上の異なる位置で測定するとき、5×10-3cm-1未満変化する自由スペクトル領域(FSR)を示すような、光学特性の組合せ、 vi)前記ダイヤモンド材料を少なくとも0.5mmの特定の厚さを有するファブリペロー(Fabry-Perot)固体エタロンの形のダイヤモンド板として調製し、1.55μmに近い波長及び公称直径1.2mmのレーザビームを用いて少なくとも1.3mm×1.3mmの特定の面積にわたって測定するとき、光学的に調製した表面にコーティングを施さずに、前記材料が、板上の異なる位置で測定するとき、1.5を超えるコントラスト比を示すような、光学特性の組合せ、 vii)前記ダイヤモンド材料を少なくとも0.5mmの特定の厚さを有するエタロンの形のダイヤモンド板として調製し、1.55μmに近い波長及び公称直径1.2mmのレーザビームを用いて、少なくとも1.3mm×1.3mmの特定の面積にわたって測定するとき、前記材料が3dBを超えない挿入損失を示すような、光学特性の組合せ、 viii)本明細書に述べた方法で少なくとも1.3mm×1.3mmの特定の面積にわたって測定して、少なくとも0.5mmの特定の厚さの層を含む対象容積全体にわたる、0.002未満の屈折率の変化 の特性の少なくとも1つを示すCVD単結晶ダイヤモンド材料。
IPC (1):
C30B 29/04
FI (2):
C30B29/04 W ,  C30B29/04 S
F-Term (13):
4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077AB03 ,  4G077AB04 ,  4G077BA03 ,  4G077DB01 ,  4G077EA06 ,  4G077ED06 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA01 ,  4G077TA01 ,  4G077TK01 ,  4G077TK11
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
  • ダイヤモンドの合成法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平6-065868   Applicant:住友電気工業株式会社
  • 特開昭2-088498

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