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J-GLOBAL ID:200903009768427022

プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (2): 西川 惠清 ,  森 厚夫
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003303610
Publication number (International publication number):2005072497
Application date: Aug. 27, 2003
Publication date: Mar. 17, 2005
Summary:
【課題】 プラズマ処理能力が高いプラズマ処理方法を提供する。【解決手段】 対向配置された複数の電極1、2及びガス流路36を有する。ガス流路36にガスを導入すると共に対向する電極1、2間に電圧を印加することにより大気圧近傍の圧力下でガス流路36内にプラズマ3を生成する。このプラズマ3をガス流路36から吹き出して被処理物4の表面に供給するプラズマ処理方法に関する。被処理物4の表面にプラズマ3を供給した後、プラズマ3を供給した被処理物4の表面を酸素を含むガス6に曝露する。この後、酸素を含むガス6に曝露した被処理物4の表面に再びプラズマ3を供給する。プラズマ3の供給で被処理物4の表面を活性化して酸素分子が吸着しやすい状態にした後、酸素を含むガス6に暴露して被処理物4の表面に酸素分子を吸着させることができる。この後、被処理物4の表面に吸着した酸素分子をプラズマ3で活性化することができる。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
対向配置された複数の電極及びガス流路を有し、ガス流路にガスを導入すると共に対向する電極間に電圧を印加することにより大気圧近傍の圧力下でガス流路内にプラズマを生成し、このプラズマをガス流路から吹き出して被処理物の表面に供給するプラズマ処理方法であって、被処理物の表面にプラズマを供給した後、空気又は酸素を含むガスにプラズマを供給した被処理物の表面を曝露し、この後、空気又は酸素を含むガスに曝露した被処理物の表面に再びプラズマを供給することを特徴とするプラズマ処理方法。
IPC (1):
H01L21/3065
FI (1):
H01L21/302 101E
F-Term (7):
5F004AA14 ,  5F004AA16 ,  5F004BA20 ,  5F004BB02 ,  5F004BB13 ,  5F004BD01 ,  5F004DA26
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (2)
  • 放電プラズマ処理方法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願2001-375996   Applicant:積水化学工業株式会社
  • アッシング処理方法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願2002-000751   Applicant:積水化学工業株式会社
Cited by examiner (2)
  • 放電プラズマ処理方法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願2001-375996   Applicant:積水化学工業株式会社
  • アッシング処理方法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願2002-000751   Applicant:積水化学工業株式会社

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