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J-GLOBAL ID：200903036722240731
アッシング処理方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002000751
Publication number (International publication number)：2003203902
Application date： Jan. 07, 2002
Publication date： Jul. 18, 2003
Summary：
【要約】【課題】 半導体製造工程におけるアッシングを、真空容器を用いる低圧プラズマ法によらず、複雑な形状の物に対しても処理ムラが起きない方法の提供。【解決手段】 半導体製造工程におけるアッシング処理方法において、被処理体の表面を紫外線照射処理後に、大気圧近傍の圧力下、対向する一対の電極の少なくとも一方の対向面を固体誘電体で被覆し、当該一対の電極間に処理ガスを導入して電界を印加することにより得られるグロー放電プラズマを紫外線照射処理後の被処理体に接触させる放電プラズマ処理を行うことを特徴とするアッシング処理方法。
Claim (excerpt)：
半導体製造工程におけるアッシング処理方法において、被処理体の表面を紫外線照射処理後に、大気圧近傍の圧力下でグロー放電プラズマ処理を行うことを特徴とするアッシング処理方法。
F-Term (10)：
5F004AA01
, 5F004BA04
, 5F004BA20
, 5F004BB24
, 5F004BC06
, 5F004BD01
, 5F004DA21
, 5F004DA26
, 5F004DB26
, 5F004FA08
Cited by examiner (6)
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