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J-GLOBAL ID：200903009780978131
半導体ナノ粒子の製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：
安富 康男
, 諸田 勝保
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005141739
Publication number (International publication number)：2006315923
Application date： May. 13, 2005
Publication date： Nov. 24, 2006
Summary：
【課題】 粒子径の揃った半導体ナノ粒子を容易に製造することができる半導体ナノ粒子の製造方法を提供する。【解決手段】 逆ミセル法により半導体ナノ粒子を製造する方法であって、トルエン中に、半導体ナノ粒子の原料となる極性液と、界面活性剤としてテトラオクチルアンモニウムブロマイドとを添加し、攪拌して逆ミセルを形成する逆ミセル形成工程と、得られた逆ミセルを、LiBH4、LiAlH4、LiBH(CH2CH3)3からなる群より選択される少なくとも1種の還元剤を用いて還元する還元工程とを有する半導体ナノ粒子の製造方法。【選択図】 なし
Claim (excerpt)：
逆ミセル法により半導体ナノ粒子を製造する方法であって、
トルエン中に、半導体ナノ粒子の原料となる極性液と、界面活性剤としてテトラオクチルアンモニウムブロマイドとを添加し、攪拌して逆ミセルを形成する逆ミセル形成工程と、
得られた逆ミセルを、LiBH4、LiAlH4、LiBH(CH2CH3)3からなる群より選択される少なくとも1種の還元剤を用いて還元する還元工程とを有する
ことを特徴とする半導体ナノ粒子の製造方法。
IPC (1)：
FI (1)：
F-Term (13)：
4C085HH11
, 4C085JJ03
, 4C085KA27
, 4C085KB07
, 4G072AA01
, 4G072BB05
, 4G072GG03
, 4G072HH08
, 4G072JJ34
, 4G072KK17
, 4G072RR04
, 4G072UU01
, 4G072UU30
Cited by applicant (1)
-
半導体発光素子
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2003-161882
Applicant：株式会社東芝
Cited by examiner (1)
-
半導体発光素子
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2003-161882
Applicant：株式会社東芝
Article cited by the Patent：
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