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J-GLOBAL ID：200903020994256900

半導体発光素子

Inventor： 山本 和重 ,  リチャード ティリー
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 日向寺 雅彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003161882
Publication number (International publication number)：2004363436
Application date： Jun. 06, 2003
Publication date： Dec. 24, 2004
Summary：

【課題】高い正孔移動度が得られるp型層を設けることにより素子の厚膜化を可能とし、大面積化してもショートなどの問題を解消できる半導体発光素子を提供することを目的とする。【解決手段】陽極(12)と、前記陽極に対向して設けられた陰極(20)と、前記陽極と前記陰極との間に設けられた活性層(16)と、前記陽極と前記活性層との間に設けられたp型層(14)と、を備え、前記p型層は、シリコン(Si)及びゲルマニウム(Ge)及びシリコン・ゲルマニウム化合物のいずれか、またはこれらの混合物からなるコア(100A)と、前記コアを取り囲み低正孔バリア性を有する材料からなるシェル(100B)と、を有する第1のドット(100)を含むことを特徴とする半導体発光素子を提供する。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

陽極と、 前記陽極に対向して設けられた陰極と、 前記陽極と前記陰極との間に設けられた活性層と、 前記陽極と前記活性層との間に設けられたp型層と、 を備え、 前記p型層は、シリコン(Si)、またはゲルマニウム(Ge)、またはシリコン・ゲルマニウム化合物、またはこれらの混合物からなるコアと、前記コアを取り囲む低正孔バリア性を有する材料からなるシェルと、を有する第1のドットを含むことを特徴とする半導体発光素子。

IPC (1)：

H01L33/00

FI (1)：

H01L33/00 A

F-Term (7)：

5F041AA14 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA12 ,  5F041CA46 ,  5F041CA88 ,  5F041FF11

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 半導体超微粒子の製造方法及び製造装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-154765   Applicant：三菱化学株式会社