半導体ゲート型光スイッチおよびその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：京本直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993154042
Publication number (International publication number)：1995028005
Application date： Jun. 25, 1993
Publication date： Jan. 31, 1995
Summary：

【要約】【目的】半導体ゲート型光スイッチのゲート部と合波・分岐導波路部のガイド層を連続して設け、光をゲートで効率良く増幅し、注入電流の低減化を図る。【構成】ゲート部7では、n-InP基板1上に1.3μm組成InGaAsPアクティブガイド層3、p-InPクラッド層4、p-InGaAsキャップ層5、Au/Tiメタル層が積層され、合波・分岐導波路部8では、n-InP基板1上に1.15μm組成InGaAsPパッシブガイド層2、p-InPクラッド層4、p-InGaAsキャップ層5、Au/Tiメタル層6が積層されている。波長組成1.15μmのパッシブガイド層からなる光アンプをゲートとするゲート領域と、波長組成1.15μmのパッシブガイド層からなる分岐・合波導波路領域が同一基板上に集積されており、アクティブガイド層とパッシブガイド層は導波方向に連続して形成されている。

Claim (excerpt)：

導伝型半導体基板上に少なくとも、前記半導体基板より屈折率の高いアンドープ半導体ガイド層と、前記アンドープ半導体ガイド層より屈折率の低い逆導伝型半導体クラッド層が積層され、前記アンドープ半導体ガイド層が、光伝搬方向で少なくとも使用光の波長と同じ波長組成であるアンドープ半導体ガイド層と、使用光の波長より短い波長組成のアンドープ半導体ガイド層の2つの異なる波長組成の半導体ガイド層が接続されており且つ光伝搬方向に連続して形成されており、使用光の波長と同じ波長組成のアンドープ半導体ガイド層からなる導波路領域をゲートとし、使用光の波長より短い波長組成のアンドープ半導体ガイド層からなる導波路領域を合・分岐光導波路として構成されることを特徴とする半導体ゲート型光スイッチ。

IPC (3)：

G02F 1/025 , G02B 6/12 , G02B 6/13

FI (2)：

G02B 6/12 J , G02B 6/12 M

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開平4-114133
特開平4-211228
特開平4-291780

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