半導体のトラップ評価方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：伊藤洋二 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999264334
Publication number (International publication number)：2001085484
Application date： Sep. 17, 1999
Publication date： Mar. 30, 2001
Summary：

【要約】【課題】ワイドバンドギャップ半導体に存在する深いトラップ準位を室温におて評価する。【解決手段】白色光源からの光を分光した単一波長光18を半導体試料15に照射しつつ、C-V測定装置10を用いてC-V測定を行い、その測定結果から深いトラップ準位を評価する。この方法によれば、室温においても深いトラップ準位を評価することができ、ワイドバンドギャップを用いた半導体装置の性能向上を目的とした評価に利用することができる。

Claim (excerpt)：

トラップされたキャリアを光照射により励起させて半導体のトラップ準位を評価することを特徴とする半導体のトラップ評価方法。

IPC (3)：

H01L 21/66 , G01N 21/00 , G01N 27/00

FI (3)：

H01L 21/66 L , G01N 21/00 B , G01N 27/00 Z

F-Term (17)：

2G059AA03 , 2G059BB16 , 2G059CC20 , 2G059GG10 , 2G059HH02 , 2G059KK10 , 2G060AA09 , 2G060AE40 , 2G060AF02 , 2G060AF10 , 2G060AG08 , 4M106AA01 , 4M106AB01 , 4M106AB11 , 4M106BA20 , 4M106CA12 , 4M106CB07

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

特開昭62-132337
特開昭48-088873
特開昭57-075439

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

Deep centers and their spatial distribution in und

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