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J-GLOBAL ID：200903009895277811

半導体基板エッチング方法及び装置

Inventor： アーク、ヘンリー・エフ ,  バンダム、ローランド・アール
Applicant, Patent owner： エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド
Agent (1)： 青山 葆 (外1名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1995512110
Publication number (International publication number)：1996502148
Application date： Oct. 11, 1994
Publication date： Mar. 05, 1996
Summary：

【要約】基板を回転させる工程と、少なくとも一部は溶けた気体を含む加圧されたエッチング液14の泡立ちにより形成される流れる泡と回転された基板を接触させる工程とを含む、半導体基板50のエッチング方法。

Claim (excerpt)：

基板を回転させる工程と、 回転している基板を、溶けた気体を含むエッチング液の泡立ちによって形成されたバブルを含む流れる泡に接触させる工程とを含む半導体基板のエッチング方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

• 特開平4-151837
  
• 特開昭59-110782
  
• 特開昭53-144265
  
• 特開昭61-220434
  
• 特開昭52-156565
  
• 特開昭63-086525
  
• 特開平4-151837
  
• 特開平4-186834
  
• 特開平3-025936
  
• ウエットエッチング処理槽
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-064596   Applicant：松下電子工業株式会社