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J-GLOBAL ID：200903009951587250

高周波プラズマ処理装置および処理方法

Inventor：
西川 和宏

About 西川 和宏


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (2)： 佐野 静夫 ,  山田 茂樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004213750
Publication number (International publication number)：2006032303
Application date： Jul. 22, 2004
Publication date： Feb. 02, 2006
Summary：
【課題】 容量結合プラズマと誘導結合プラズマとを組み合わせたプラズマの高性能化を実現できる高周波プラズマ装置を提供する。 【解決手段】 所定の間隔で対面する壁面部1a,1bを有する所望のガス雰囲気を形成するための反応容器1と、高周波電源7と、前記反応容器1の一方の壁面部1aの外面部にコイル軸が壁面に対して直交する方向で配置された第1のコイル4と、前記反応容器1の他方の壁面部1bの外面部にコイル軸が壁面に対して直交する方向で且つ前記第1のコイル4と対向する位置に配置された第2のコイル5とを備え、前記高周波電源7より前記第1のコイル4及び前記第2のコイル5に高周波電流を流すことによって前記壁面部1a,1bの壁面を横切る高周波磁界を形成するとともに、前記壁面1a,1b間に強電界を形成し、前記反応容器1内に誘導結合プラズマ及び容量結合プラズマを放電維持させ、該プラズマによって、前記反応容器1内のガス雰囲気中に位置する被処理物10に対して所望のプラズマ処理を行う。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
所定の間隔で対面する壁面部を有して所望のガス雰囲気を形成するための反応容器と、高周波電源と、前記反応容器の一方の壁面部の外面部に配置された第1のコイルと、前記反応容器の他方の壁面部の外面部に前記第1のコイルと対向する位置に配置された金属導体とを備え、 前記高周波電源より前記第1のコイルに高周波電流を流すことによって前記反応容器内部に高周波磁界を形成するとともに、前記第1のコイルと前記金属導体との間に位置する前記反応容器内部の前記壁面間の空間に強電界を形成し、前記反応容器内に高周波磁界と高電界とによってプラズマを放電維持させ、所望のプラズマ処理を行うことを特徴とする高周波プラズマ処理装置。
IPC (5)：
H05H 1/46 ,  C23C 16/507 ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/24 ,  H01L 21/306
FI (6)：
H05H1/46 L ,  H05H1/46 R ,  C23C16/507 ,  H01L21/205 ,  H05H1/24 ,  H01L21/302 101E
F-Term (18)：
4K030FA04 ,  4K030JA09 ,  4K030KA30 ,  5F004AA16 ,  5F004BA04 ,  5F004BA20 ,  5F004BB11 ,  5F004BB29 ,  5F004BD01 ,  5F004BD03 ,  5F004BD04 ,  5F045AA08 ,  5F045AE25 ,  5F045AE29 ,  5F045BB08 ,  5F045EH04 ,  5F045EH11 ,  5F045EH12
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)

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