MOSFET及びその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：藤巻正憲
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001331461
Publication number (International publication number)：2003133549
Application date： Oct. 29, 2001
Publication date： May. 09, 2003
Summary：

【要約】【課題】高速性能及び低消費電力性能を低下させることなく、ゲート電極とドレイン端部との間の電界を緩和して、リーク電流の発生を抑制できるMOSFET及びその製造方法を提供する。【解決手段】シリコン基板1上に絶縁膜3及び絶縁膜4を形成し、これにシリコン基板1に達する溝6を形成する。溝6の底部に絶縁膜7を形成し、フッ素イオンを、シリコン基板1に垂直な方向に対して傾斜した方向22に沿って、溝6の底面に対して注入する。これにより、絶縁膜3及び4がマスクとなり、溝6の底面における端部6bのみにフッ素イオンを注入することができる。次に、絶縁膜7を除去し、熱酸化法によりゲート絶縁膜を形成する。このとき、注入されたフッ素によりシリコンの酸化が促進され、ゲート絶縁膜の端部のみが厚膜化する。次に、溝6内にゲート電極を形成する。

Claim (excerpt)：

半導体基板の表面に形成されたソース領域及びドレイン領域と、前記ソース領域と前記ドレイン領域との間のチャネル領域上に形成されたゲート絶縁膜と、このゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、を有するMOSFETにおいて、前記ゲート絶縁膜は前記ドレイン領域側の端部の膜厚が前記ゲート絶縁膜における中央部の膜厚よりも厚いことを特徴とするMOSFET。

IPC (6)：

H01L 29/78 , H01L 21/265 , H01L 21/28 , H01L 21/316 , H01L 21/336 , H01L 21/768

FI (6)：

H01L 21/28 Z , H01L 21/316 S , H01L 29/78 301 G , H01L 29/78 301 P , H01L 21/265 W , H01L 21/90 C

F-Term (100)：

4M104AA01 , 4M104BB01 , 4M104BB02 , 4M104BB14 , 4M104BB18 , 4M104BB25 , 4M104BB28 , 4M104BB30 , 4M104CC05 , 4M104DD08 , 4M104DD16 , 4M104DD19 , 4M104EE03 , 4M104EE11 , 4M104EE16 , 4M104EE17 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG16 , 4M104HH20 , 5F033HH03 , 5F033HH04 , 5F033HH08 , 5F033HH18 , 5F033HH19 , 5F033HH25 , 5F033HH27 , 5F033HH28 , 5F033HH33 , 5F033MM01 , 5F033QQ09 , 5F033QQ10 , 5F033QQ13 , 5F033QQ16 , 5F033QQ19 , 5F033QQ31 , 5F033QQ35 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033QQ56 , 5F033QQ58 , 5F033QQ65 , 5F033QQ66 , 5F033QQ70 , 5F033RR03 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR08 , 5F033RR14 , 5F033RR15 , 5F033SS11 , 5F033TT02 , 5F033TT08 , 5F033VV06 , 5F033XX01 , 5F058BA06 , 5F058BC02 , 5F058BE07 , 5F058BF62 , 5F058BF63 , 5F058BJ01 , 5F058BJ10 , 5F140AA01 , 5F140AA02 , 5F140AA06 , 5F140AA24 , 5F140BA01 , 5F140BD01 , 5F140BD09 , 5F140BD11 , 5F140BD12 , 5F140BD18 , 5F140BE01 , 5F140BE03 , 5F140BE07 , 5F140BE10 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF05 , 5F140BF07 , 5F140BF08 , 5F140BF10 , 5F140BG08 , 5F140BG09 , 5F140BG12 , 5F140BG14 , 5F140BG36 , 5F140BG40 , 5F140BG45 , 5F140BG53 , 5F140BH15 , 5F140BH47 , 5F140BJ01 , 5F140BJ08 , 5F140BK02 , 5F140BK14 , 5F140BK34 , 5F140CB04 , 5F140CB08 , 5F140CB10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開平3-296270
特開昭63-046774
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-113099 Applicant：松下電器産業株式会社

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