触覚センサ

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：最上健治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996030090
Publication number (International publication number)：1997203671
Application date： Jan. 25, 1996
Publication date： Aug. 05, 1997
Summary：

【要約】【課題】 3軸方向からの圧力変化の検出が可能で、且つ信号処理機能を有する触覚センサを提供する。【解決手段】半導体基板1上にSiO2 からなる絶縁膜2を形成し、該絶縁膜2の上部に底部導電体膜3,圧電体膜4,上部導電体膜5の多層構造からなる垂直方向の圧力を検出する圧力検出部1Aを形成する。また圧電体膜4に凹部を2個所形成し、該凹部に一部突出するように上部導電体膜6を配置すると共に、上部導電体膜7を埋め込むように配置し、水平方向の圧力を検出する圧力検出部1Bを形成する。更に半導体基板1上に、圧力検出部1A,1Bからの検出信号を増幅する増幅回路及び出力信号を演算処理する演算処理回路を構成するMOS型トランジスタ9を形成して触覚センサを構成する。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に形成した絶縁膜の上部に設けた導電体膜、圧電体膜、導電体膜の多層構造からなる垂直方向の圧力を検出する圧力検出部と、前記半導体基板上に形成した絶縁膜の上部に設けた導電体膜及び圧電体膜と該圧電体膜に形成した2個所以上の凹部に設けられた導電体膜とからなる水平方向の圧力を検出する圧力検出部を有し、且つ前記半導体基板上に設けられた信号増幅器並びに信号演算器を備えていることを特徴とする触覚センサ。

IPC (7)：

G01L 1/18 , C04B 35/46 , C04B 35/49 , H01L 41/08 , H01L 41/187 , H01L 41/24 , H03K 17/94

FI (7)：

G01L 1/18 , H03K 17/94 G , C04B 35/46 D , C04B 35/49 A , H01L 41/08 Z , H01L 41/18 101 D , H01L 41/22 A

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (12)

シリコンモノリシックセンサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-084928 Applicant：新技術事業団, 松下電工株式会社
圧電型振動センサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-193766 Applicant：株式会社フジクラ
圧力センサチップ、触覚センサ、および触覚センサの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-186791 Applicant：三井造船株式会社

Show all

Return to Previous Page