シリコンモノリシックセンサ

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：石田長七 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994084928
Publication number (International publication number)：1995294295
Application date： Apr. 22, 1994
Publication date： Nov. 10, 1995
Summary：

【要約】【目的】複数の入出力を持つセンサアレイ構造を実現できるシリコンモノリシックセンサを提供するにある。【構成】接合型電界効果トランジスタ1は、p型基板2上にn型エピタキシャル層3を形成したエピタキシャル基板4を用い、n型エピタキシャル層3の内部にはp型ゲート領域6、ソース領域7、ドレイン領域8を形成している。これらの領域6、7、8の周囲のn型エピタキシャル層3にはp型基板2に表面より到達するようにp型拡散領域5,5’を拡散形成してある。接合型電界効果トランジスタ1の近傍にはカンチレバー9の上に圧電膜10を形成したセンサ部13を設けており、電気的には圧電膜10の一端側電極11が上記p型ゲート領域6に接続され、圧電膜10の他端側電極12が上記p型拡散領域5’を介して上記p型基板2に接続されている。

Claim (excerpt)：

第1導電型基板上に第2導電型エピタキシャル層を形成したエピタキシャル基板の表面より、前記第2導電型エピタキシャル層を平面的に二つの領域に分離するようにして前記第1導電型基板に到達しない深さで第1導電型ゲート拡散領域を形成し、分離された前記第2導電型エピタキシャル層の一方の領域をドレイン領域、他方をソース領域とし、これら領域の周囲に第1導電型拡散層を第1導電型基板に到達する深さまで形成して、前記ゲート拡散領域、前記ソース領域、前記ドレイン領域及び前記エピタキシャル基板がそれぞれ独立した接合型電界効果トランジスタを構成し、前記接合型電界効果トランジスタと同一の前記エピタキシャル基板上に形成したセンサ部の出力の一端を前記接合型電界効果トランジスタの上記第1導電型ゲート拡散領域と接続し、他端を前記第1導電型基板と接続したことを特徴とするシリコンモノリシックセンサ。

IPC (5)：

G01D 21/00 , G01H 11/08 , H01L 29/84 , H01L 21/337 , H01L 29/808

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

特開昭64-031083
特開平4-357891
特開平1-269399

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