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J-GLOBAL ID：200903010005021007
ドライエッチング方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
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Agent (1)：
井上 一 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991352074
Publication number (International publication number)：1993166770
Application date： Dec. 13, 1991
Publication date： Jul. 02, 1993
Summary：
【要約】【目的】 エッチング速度が速く、且つ、被エッチング膜のSiやフォトレジストに対する選択比が優れたドライエッチング方法を提供する。【構成】 エッチング時の被処理体の温度を零度以下とすることにより、エッチング速度を飛躍的に向上させる。また、エッチングガスとして、ハロゲンガスに、少なくとも酸化数4未満の炭素と酸素とを含むガス(例えばCO)を混合させることにより、Siおよびフォトレジストのエッチングを抑制する。
Claim (excerpt)：
被処理体を臨む領域のエッチングガスの少なくとも一部をプラズマ化し、このプラズマによって前記被処理体のエッチングを行なうドライエッチング方法において、エッチング時の前記被処理体の温度を零度以下の所定の温度とし、前記プラズマガスとして、少なくとも酸化数4未満の炭素(C)と酸素(O)とを含むガスとハロゲン系ガスとの混合ガスを使用する、ことを特徴とするドライエッチング方法。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
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