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J-GLOBAL ID：200903010036757214

ウエ-ハの基準面形成方法及びその装置

Inventor： 只野 剛 ,  河野 実 ,  新城 正昭 ,  半田 貫士 ,  阿部 義紀 ,  藤井 勝基 ,  真田 謙郎 ,  岡本 圭司
Applicant, Patent owner： 日化精工株式会社 ,  トーヨーエイテック株式会社
Agent (1)： 亀川 義示
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005323228
Publication number (International publication number)：2007134371
Application date： Nov. 08, 2005
Publication date： May. 31, 2007
Summary：

【課題】半導体インゴットを切断したスライスドウエ-ハなどのウエーハの表面にある凹凸やうねり成分を変形させることなく、スライスドウエ-ハの表面に平坦な基準面を形成しようとする。【解決手段】ウエ-ハ1を紫外線透過性のプレート2上にストレスの無い状態に配置し、このプレート2とウエ-ハ1の間に紫外線硬化性樹脂5を導入し、充填する。そして、プレート2側から紫外線を照射し、紫外線硬化性樹脂5を硬化させる。紫外線硬化性樹脂の硬化後にプレ-トからウエ-ハを分離すると、紫外線硬化性樹脂により形成された平坦な基準面を有するウエ-ハを得ることができる。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

半導体ウエーハ等のウエーハを紫外線透過性を有する基準面形成用のプレートの上に配置し、上記ウエーハと上記プレートの間に紫外線硬化性樹脂を導入、充填し、プレート側から紫外線を照射して紫外線硬化性樹脂を硬化し、これをプレートから剥離してウエーハの一面に紫外線硬化性樹脂による基準面を形成するウエ-ハの基準面形成方法。

IPC (2)：

H01L 21/304 ,  H01L 21/02

FI (2)：

H01L21/304 611A ,  H01L21/02 B

F-Term (4)：

3C049AA04 ,  3C049AB04 ,  3C049AB09 ,  3C049CA01

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• スライスドウエ-ハの基準面形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-191080   Applicant：株式会社エンヤシステム, 東芝セラミックス株式会社, 日化精工株式会社