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J-GLOBAL ID:200903028578736953
スライスドウエ-ハの基準面形成方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
,
,
Agent (1):
亀川 義示
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998191080
Publication number (International publication number):2000005982
Application date: Jun. 22, 1998
Publication date: Jan. 11, 2000
Summary:
【要約】【課題】 スライスドウエ-ハの表面に生じたうねり成分が研削の結果に影響を与えないよう上記スライスドウエ-ハの表面に平坦な基準面を形成する。【解決手段】 スライスドウエ-ハ(1)の表面に溶融ワックスを塗布し、プレ-ト(8)に貼付ける。このプレ-ト(8)にウエ-ハ(1)を押圧した後、上記ウエ-ハ(1)を冷却手段(14)で冷却する。上記加熱溶融したワックス層(3)は固化し、プレ-ト(8)からウエ-ハ(1)が剥れ、平坦な基準面(15)を有するスライスドウエ-ハ(1)が得られる。
Claim (excerpt):
半導体インゴットを切断したスライスドウエ-ハの表面に溶融したワックスを塗布する工程と、前記スライドウエ-ハの溶融ワックス塗布面をプレ-トの貼付面に押圧する工程と、上記溶融ワックスを固化させて平面を形成する工程と、ワックスが塗布されたスライスドウエ-ハとプレ-トとを分離する工程を含むことを特徴とするスライスドウエ-ハの基準面形成方法。
IPC (4):
B24B 1/00
, B24B 37/04
, H01L 21/02
, H01L 21/304 611
FI (4):
B24B 1/00 A
, B24B 37/04 J
, H01L 21/02 B
, H01L 21/304 611 A
F-Term (10):
3C049AB04
, 3C049CA01
, 3C049CB01
, 3C049CB02
, 3C049CB04
, 3C058AB04
, 3C058CB01
, 3C058CB02
, 3C058CB04
, 3C058DA17
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (11)
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特開昭63-221970
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半導体ウェーハの製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-274760
Applicant:東芝セラミックス株式会社
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特開昭63-221970
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特開昭63-248133
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特開昭62-107938
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特開昭62-107938
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特開昭63-221970
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特開昭63-248133
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特開昭62-107938
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ワークの平面研削方法及び装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-227291
Applicant:信越半導体株式会社
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特開昭64-078735
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