半導体装置およびその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：平木祐輔
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001040640
Publication number (International publication number)：2002151518
Application date： Feb. 16, 2001
Publication date： May. 24, 2002
Summary：

【要約】【課題】銅配線の酸化による抵抗の上昇や、銅の拡散による銅配線および素子の信頼性の低下を防止する。【解決手段】絶縁膜4中に形成された銅配線2の上を覆う配線保護膜1および銅配線の側面および底面を囲むバリヤ膜3を備えた半導体装置において、配線保護膜およびバリヤ膜の双方またはいずれか一方を、(1)コバルト、(2)クロム、モリブデン、タングステン、レニウム、タリウム、リンのうち少なくとも一種、および、(3)ボロンを含有するコバルト合金膜により形成する。

Claim (excerpt)：

絶縁膜中に形成された銅配線の上を覆う配線保護膜および銅配線の側面および底面を囲むバリヤ膜を備えた半導体装置において、配線保護膜およびバリヤ膜の双方またはいずれか一方が、(1)コバルト、(2)クロム、モリブデン、タングステン、レニウム、タリウム、リンのうち少なくとも一種、および、(3)ボロンを含有するコバルト合金膜により形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 21/3205 , C23C 18/50 , H01L 21/768

FI (3)：

C23C 18/50 , H01L 21/88 R , H01L 21/90 A

F-Term (69)：

4K022AA02 , 4K022AA05 , 4K022AA41 , 4K022BA04 , 4K022BA06 , 4K022BA07 , 4K022BA12 , 4K022BA16 , 4K022BA24 , 4K022BA28 , 4K022BA32 , 4K022BA35 , 4K022DA01 , 4K022DB03 , 4K022DB05 , 4K022DB26 , 4K022DB29 , 4K022DB30 , 5F033HH11 , 5F033HH15 , 5F033HH18 , 5F033HH19 , 5F033HH21 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033HH34 , 5F033JJ11 , 5F033JJ15 , 5F033JJ18 , 5F033JJ19 , 5F033JJ21 , 5F033JJ32 , 5F033JJ33 , 5F033JJ34 , 5F033KK11 , 5F033LL02 , 5F033LL04 , 5F033LL09 , 5F033MM02 , 5F033MM05 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP15 , 5F033PP27 , 5F033PP28 , 5F033PP33 , 5F033QQ09 , 5F033QQ11 , 5F033QQ12 , 5F033QQ25 , 5F033QQ28 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033RR01 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR21 , 5F033RR25 , 5F033SS15 , 5F033SS22 , 5F033TT04 , 5F033WW02 , 5F033WW04 , 5F033XX02 , 5F033XX20 , 5F033XX24 , 5F033XX28

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

相互接続用の2重層低誘電性バリアを形成する方法および形成された装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-033861 Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
半導体フィーチャを形成する方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-098341 Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション

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