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J-GLOBAL ID：200903061548369473

半導体フィーチャを形成する方法

Inventor： カルロス・ジェイ・サンバセッティ ,  スティーヴン・エイチ・ボエッチャー ,  ピーター・エス・ロック ,  ジュディス・エム・ラビノ ,  スーン-チェオン・セオ
Applicant, Patent owner： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
Agent (1)： 坂口 博 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001098341
Publication number (International publication number)：2001332558
Application date： Mar. 30, 2001
Publication date： Nov. 30, 2001
Summary：

【要約】【課題】 ライナーの完全性と、関連するレベルと他の金属レベルとの間の電気的連続性を有する単一の層を与える改良された構造を提供する。【解決手段】 開口を有する半導体誘電体材料1を備えた半導体構造である。開口を裏打ちする第1の材料15は、MXYからなり、ここで、Mは、コバルトおよびニッケルよりなる群から選択され、Xは、タングステンおよびシリコンよりなる群から選択され、Yは、りんおよびほう素よりなる群から選択され、第2の材料20は、裏打ちされた誘電体材料を充填する。

Claim (excerpt)：

半導体フィーチャを形成する方法であって、誘電体材料内の開口を、第1の材料でメッキする工程を含み、前記材料は、CoXYからなり、Xは、タングステン,錫,およびシリコンよりなる群から選択され、Yは、りん,ほう素よりなる群から選択される、方法。

IPC (2)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/288

FI (4)：

H01L 21/288 M ,  H01L 21/88 M ,  H01L 21/88 B ,  H01L 21/88 R

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 成膜方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-227113   Applicant：株式会社東芝
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-256014   Applicant：ソニー株式会社