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J-GLOBAL ID:200903010094293813
炭化ケイ素焼結体及びその製造方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
國分 孝悦
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2006011576
Publication number (International publication number):2006232659
Application date: Jan. 19, 2006
Publication date: Sep. 07, 2006
Summary:
【課題】より高い強度を得ることができる炭化ケイ素焼結体及びその製造方法を提供する。【解決手段】ナノメータサイズのSiC粉体及びサブマイクロメータサイズのSiC粉体を硝酸イットリウム水溶液中に分散させた後、この硝酸イットリウム水溶液中にアルミナ粒子を添加することにより、サスペンションを作製する。そして、このサスペンションから得られた成形体を焼結する。【選択図】図1
Claim (excerpt):
ナノメータサイズのSiC粉体及びサブマイクロメータサイズのSiC粉体を焼結させて構成されたことを特徴とする炭化ケイ素焼結体。
IPC (2):
C04B 35/626
, C04B 35/565
FI (4):
C04B35/56 101P
, C04B35/56 101C
, C04B35/56 101F
, C04B35/56 101R
F-Term (10):
4G001BA03
, 4G001BA09
, 4G001BA22
, 4G001BB03
, 4G001BB09
, 4G001BB22
, 4G001BC13
, 4G001BC52
, 4G001BC55
, 4G001BD11
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1)
Cited by examiner (3)
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特開平4-006157
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スナバ抵抗器及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-051768
Applicant:住友大阪セメント株式会社
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炭化珪素質焼結体及びこれを用いた磁気ヘッドスライダ用基板
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-100384
Applicant:京セラ株式会社
Article cited by the Patent:
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