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J-GLOBAL ID：200903010107306480
光電変換素子
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
大胡 典夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998284147
Publication number (International publication number)：2000114563
Application date： Oct. 06, 1998
Publication date： Apr. 21, 2000
Summary：
【要約】【課題】 発電効率低下を抑制すること。【解決手段】 透明導電体層2および前記透明導電体層上に形成されたn型半導体電極4、ならびにn型半導体電極に吸着された色素、色素と接する電荷輸送層3、電荷輸送層と接する対向電極5からなる光電変換素子において、上記n型半導体電極4がTiを含む酸化物からなり、n型半導体電極4のキャリア濃度が1017/cm3 以上とした。
Claim (excerpt)：
透明導電体層および前記透明導電体層上に形成されたn型半導体電極、ならびにn型半導体電極に吸着された色素、色素と接する電荷輸送層、電荷輸送層と接する対向電極からなる光電変換素子において、上記n型半導体電極がTiを含む酸化物からなり、n型半導体電極のキャリア濃度が1017/cm3以上であることを特徴とする光電変換素子。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 31/04 Z
, H01M 14/00 P
5F051AA14
, 5F051FA02
, 5F051GA03
, 5H032AA06
, 5H032AS16
, 5H032EE01
, 5H032EE02
, 5H032EE07
, 5H032EE16
, 5H032EE18
, 5H032HH02
Cited by examiner (3)
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光電変換素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平5-320004
Applicant：松下電器産業株式会社
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特開平1-220380
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特表平5-504023
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