固体撮像素子

Inventor： ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：高橋敬四郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000033929
Publication number (International publication number)：2001223350
Application date： Feb. 10, 2000
Publication date： Aug. 17, 2001
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 A/D変換部を内蔵した従来のMOS型固体撮像素子において光電変換素子の集積度を高めれば高める程、A/D変換部を形成する際に高度な微細加工技術が要求されるようになり、これに伴って製造コストが増大する。【解決手段】多数個の光電変換素子を複数行、複数列に亘って画素ずらし配置し、前記複数の光電変換素子列の2列に1個ずつアナログ/デジタル変換部を配設してMOS型固体撮像素子を得る。

Claim (excerpt)：

半導体基板の表面に複数行、複数列に亘って画素ずらし配置された多数個の光電変換素子と、前記多数個の光電変換素子の各々に1個ずつ付設されたスイッチング回路部であって、各々が、対応する光電変換素子に蓄積された信号電荷量に応じた電気信号を発生することのできる出力用トランジスタを含むスイッチング回路部と、前記複数の光電変換素子行の1行毎に該光電変換素子行に沿って1本ずつ配設された行選択用信号配線であって、各々が、対応するスイッチング回路部それぞれに前記電気信号の発生を制御する行選択信号を供給するために使用される行選択用信号配線と、前記複数の光電変換素子列の2列に1個ずつ配設されたアナログ/デジタル変換部と、前記各2列の光電変換素子列に対応するスイッチング回路部の前記出力用トランジスタの各々と、対応するアナログ/デジタル変換部とを接続する出力用信号線とを備えた固体撮像素子。

IPC (3)：

H01L 27/146 , H04N 5/335 , H01L 31/10

FI (4)：

H04N 5/335 E , H04N 5/335 U , H01L 27/14 A , H01L 31/10 A

F-Term (31)：

4M118AA10 , 4M118AB01 , 4M118BA14 , 4M118CA02 , 4M118CA20 , 4M118CA40 , 4M118CB14 , 4M118DB09 , 4M118DD12 , 4M118FA01 , 4M118FA06 , 4M118FA50 , 4M118GB11 , 4M118GC08 , 4M118GC09 , 4M118GC14 , 5C024CY33 , 5C024GX02 , 5C024GY31 , 5C024HX13 , 5C024HX23 , 5F049MA02 , 5F049MB02 , 5F049NB05 , 5F049RA03 , 5F049RA08 , 5F049RA10 , 5F049SS03 , 5F049SZ10 , 5F049TA12 , 5F049TA13

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (9)

増幅型固体撮像装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-245325 Applicant：株式会社東芝
固体撮像装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-079088 Applicant：浜松ホトニクス株式会社
集積CMOSアクティブピクセルデジタルカメラ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-013286 Applicant：イーストマンコダックカンパニー

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Cited by examiner (9)

増幅型固体撮像装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-245325 Applicant：株式会社東芝
固体撮像素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-169874 Applicant：株式会社ニコン
固体撮像装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-079088 Applicant：浜松ホトニクス株式会社

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