半導体装置の作製方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995262596
Publication number (International publication number)：1997027453
Application date： Sep. 14, 1995
Publication date： Jan. 28, 1997
Summary：

【要約】【目的】シリコンウエハー上に形成されるトランジスタと同等の特性を有する薄膜トランジスタを得る。【構成】非晶質珪素薄膜を102で示される形状にパターニングし、ニッケルシリサイドが形成された領域101から103で示される結晶成長を行わせる。この結晶成長において、加熱した状態でレーザー光を走査しつつ照射することで、104で示されるような単結晶領域と見なせる領域を形成することができる。そして、104で示す単結晶領域を401で示される形状にパターニングして、薄膜トランジスタの活性層を構成する。

Claim (excerpt)：

非晶質珪素膜の表面に接して珪素の結晶化を助長する金属元素の層または前記金属元素を含む層を選択的に形成する工程と、前記非晶質珪素膜に対してレーザー光を前記非晶質珪素膜の面積が漸次増大する方向に移動させながら照射し単結晶と見なせる領域を形成する工程と、を有し、前記レーザー光の照射は前記非晶質珪素膜を加熱した状態で行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (5)：

H01L 21/20 , H01L 21/268 , H01L 27/12 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (4)：

H01L 21/20 , H01L 21/268 Z , H01L 27/12 R , H01L 29/78 627 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

特開昭57-072319
特開平2-140915
特開昭57-113267

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