ガスバリアフィルム

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：石川泰男 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001304262
Publication number (International publication number)：2003103688
Application date： Sep. 28, 2001
Publication date： Apr. 09, 2003
Summary：

【要約】【課題】プラズマCVD法によりガスバリア層を形成した場合であっても、基材がエッチングされることがなく、ガスバリア性にムラが生じたり、基材と積層体との密着性が低下することがなく、さらに、従来のガスバリアフィルムと比べて、極めて優れたガスバリア性を有するガスバリアフィルムを提供することを課題とする。【解決手段】基材と、当該基材の片面または両面に位置し、少なくとも、プラズマCVD法又はスパッタリング法によって形成されたガスバリア層を有する積層体と、からなるガスバリアフィルムにおいて、前記基材を、1Pa〜90Paの圧力下において酸素ガス、又は酸素ガスと不活性ガスとの混合ガスを導入し、当該ガスにより基材をエッチングした場合のエッチングレートが0.001μm/min〜0.15μm/minの高分子樹脂とする。

Claim (excerpt)：

基材と、当該基材の片面または両面に位置し、少なくとも、プラズマCVD法またはスパッタリング法によって形成されたガスバリア層を有する積層体と、からなるガスバリアフィルムであって、前記基材は、1Pa〜90Paの圧力下において酸素ガス、または酸素ガスと不活性ガスとの混合ガスを導入し、当該ガスにより基材をエッチングした場合のエッチングレートが0.001μm/min〜0.15μm/minの高分子樹脂であることを特徴とするガスバリアフィルム。

IPC (3)：

B32B 9/00 , C08J 7/06 CEZ , C08L101:00

FI (3)：

B32B 9/00 A , C08J 7/06 CEZ Z , C08L101:00

F-Term (69)：

4F006AA31 , 4F006AA35 , 4F006AA36 , 4F006AA39 , 4F006AA40 , 4F006AB67 , 4F006BA05 , 4F006BA11 , 4F006CA07 , 4F006DA01 , 4F100AA17 , 4F100AA20 , 4F100AK41 , 4F100AK41A , 4F100AK41D , 4F100AK41E , 4F100AK42 , 4F100AK42A , 4F100AK42D , 4F100AK42E , 4F100AK43 , 4F100AK43A , 4F100AK43D , 4F100AK43E , 4F100AK45A , 4F100AK45D , 4F100AK45E , 4F100AK49 , 4F100AK49A , 4F100AK49D , 4F100AK49E , 4F100AK54A , 4F100AK54D , 4F100AK54E , 4F100AK55A , 4F100AK55D , 4F100AK55E , 4F100AK56A , 4F100AK56D , 4F100AK56E , 4F100AK57A , 4F100AK57D , 4F100AK57E , 4F100AT00A , 4F100BA02 , 4F100BA03 , 4F100BA04 , 4F100BA05 , 4F100BA06 , 4F100BA07 , 4F100BA08 , 4F100BA10B , 4F100BA10C , 4F100BA10E , 4F100BA13 , 4F100EH66B , 4F100EH66C , 4F100GB15 , 4F100GB23 , 4F100JA11A , 4F100JA11D , 4F100JA11E , 4F100JB00A , 4F100JB06E , 4F100JD02B , 4F100JD02C , 4F100JD03 , 4F100JD04 , 4F100YY00A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

特開平4-139233
特開平4-139233
特開平4-139233

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