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J-GLOBAL ID：200903010199438965

半導体集積回路

Inventor：
松村 仁

About 松村 仁

, 
平田 義治

About 平田 義治


Applicant, Patent owner：
岩手東芝エレクトロニクス株式会社

About 岩手東芝エレクトロニクス株式会社

, 
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997272788
Publication number (International publication number)：1999110988
Application date： Oct. 06, 1997
Publication date： Apr. 23, 1999
Summary：
【要約】【課題】 メモリ要素に適用する際にメモリ動作の不具合等を起こすことなく、電源電圧より低い電位への正確なレベル変換が実現可能な半導体集積回路を提供する。【解決手段】 本発明は、例えば不揮発性メモリに使用されるレベル変換部10を有する半導体集積回路であり、特に、異なる2つの電位レベルの低い方のレベルへシフトする機能を有するものであり、例えば、イントリンシック型のNチャネルトランジスタ( TrnI1,TrnI2又はTrnI3) から構成した電源切換部25を更に設けることで、低い電位レベルへの正確なシフトを行う電源切換え機能を備えたレベルシフタ20を該メモリに接続可能に構成する。そして、上記動作の際に回路内に従来発生していた貫通電流の発生を抑制し、メモリ動作や電気的特性上の不具合のない電源電圧のレベル変換用の半導体集積回路を提供する。
Claim (excerpt)：
ソースが所定の第1電源線に接続され、ゲートが第2電源線に接続されて成る第1Nチャネルトランジスタと、ドレインが前記第1Nチャネルトランジスタのドレインに接続され、ソースが前記第2電源線に接続され、ゲートが前記第1電源線に接続されて成る第2Nチャネルトランジスタとを有する電源切換部と、異なる2つの電位レベルのうちで低い方の電位レベルへ選択的にシフト制御する機能を有するレベル変換部と、を具備することを特徴とする半導体集積回路。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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