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J-GLOBAL ID：200903010216714394

半導体単結晶の製造方法及び半導体単結晶の製造装置

Inventor：
大鹿 嘉和

About 大鹿 嘉和


Applicant, Patent owner：
同和鉱業株式会社

About 同和鉱業株式会社


Agent (4)： 萩原 康司 ,  金本 哲男 ,  亀谷 美明 ,  和田 憲治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003340135
Publication number (International publication number)：2005104767
Application date： Sep. 30, 2003
Publication date： Apr. 21, 2005
Summary：
【課題】 縦型ボート法の単結晶成長において,るつぼ内の結晶成長界面の正確な位置を把握し,るつぼに対する温度勾配領域の位置調整を行う。【解決手段】 るつぼ12の上方に上下動可能な電極54,55を配置する。電極54,55は,電気配線56を介して電源57に接続される。電気配線56には,電流計58が接続される。結晶成長中に,るつぼ12内の原料融液Bの上界面に上方から電極54,55を接触させる。この接触により,電極54,55間に電流が流れ,電流計58によって電流が検出され,その電流の検出により原料融液Bの上界面の位置が測定される。当該上界面の位置に基づいて原料融液Bの結晶化している比率が導出され,結晶成長界面の位置が特定される。メインコントローラ40では,当該結晶成長界面の位置に基づいて各ヒータ30の発熱量が制御され,温度勾配領域の位置が所定の位置に調整される。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
容器の底部に種結晶を配置し,前記種結晶の上層に原料融液と封止用液体を下から順に配置し,当該容器を所定の温度分布内において当該温度分布に対して相対的に移動させて,容器内の原料融液の下部から上方に向けて結晶を成長させる縦型ボート法による半導体単結晶の製造方法であって, 結晶成長中に,前記容器内における原料融液の上界面の位置を測定する工程と, 当該測定された上界面の位置に基づいて,原料融液の結晶化している比率を導出し,当該比率から原料融液の結晶成長界面の位置を特定する工程と, 当該特定された結晶成長界面の位置に基づいて,前記温度分布内に形成された所定の温度勾配領域の前記容器に対する相対的な位置を調整する工程と,を有することを特徴とする,半導体単結晶の製造方法。
IPC (2)：
C30B11/00 ,  C30B29/42
FI (2)：
C30B11/00 Z ,  C30B29/42
F-Term (10)：
4G077AA02 ,  4G077BE44 ,  4G077BE46 ,  4G077CD02 ,  4G077EA02 ,  4G077EG20 ,  4G077EH07 ,  4G077HA12 ,  4G077MB04 ,  4G077MB32
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2)
  • 特許第3134415号公報
  • 半導体結晶成長方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-026701   Applicant：日立電線株式会社

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