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J-GLOBAL ID：200903010225800759

酸化物積層構造

Inventor： 鈴木 真之
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 杉浦 正知
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995158521
Publication number (International publication number)：1996330540
Application date： Jun. 01, 1995
Publication date： Dec. 13, 1996
Summary：

【要約】【目的】 強誘電体不揮発性メモリを最適構造で実現可能な酸化物積層構造を提供する。【構成】 Si基板1上に例えばMgAl2 O4 薄膜2を介して例えばSrRuO3 薄膜3を積層した酸化物積層構造を用い、そのSrRuO3 薄膜3上に強誘電体薄膜として例えばBi2 SrTa2 O9 薄膜4およびSrRuO3 薄膜5を積層して強誘電体不揮発性メモリを構成する。SrRuO3 薄膜3およびSrRuO3 薄膜5はそれぞれ下部電極および上部電極を構成する。Si基板1、MgAl2 O4 薄膜2、SrRuO3 薄膜3、Bi2 SrTa2 O9 薄膜4およびSrRuO3 薄膜5は、相互にほぼ格子整合するように面方位を選ぶ。

Claim (excerpt)：

シリコン基板と、上記シリコン基板上の酸化物からなるバッファ層と、上記バッファ層上の導電性酸化物薄膜とを有することを特徴とする酸化物積層構造。

IPC (10)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  C30B 29/22 ,  C30B 29/68 ,  H01B 3/12 301 ,  H01L 21/316 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 39/02

FI (8)：

H01L 27/10 651 ,  C30B 29/22 Z ,  C30B 29/68 ,  H01B 3/12 301 ,  H01L 21/316 M ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 39/02 D ,  H01L 27/04 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 酸化物電極
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-237622   Applicant：株式会社日立製作所
• 強誘電性素子のための多層電極
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-086509   Applicant：シャープ株式会社
• 特表平7-504784
  
• 特開昭64-065885
  
• 特表平7-504784
  
• 特開昭64-065885