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J-GLOBAL ID：200903010266770376

臨界電流密度の高い酸化物超電導体の製造方法

Inventor： 近 藤 章 弘 ,  藤 本 浩 之 ,  村 上 雅 人 ,  腰 塚 直 己 ,  田 中 昭 二
Applicant, Patent owner： 財団法人国際超電導産業技術研究センター ,  川崎重工業株式会社 ,  財団法人鉄道総合技術研究所 ,  新日本製鐵株式会社
Agent (1)： 佐藤 一雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992101953
Publication number (International publication number)：1993279033
Application date： Mar. 27, 1992
Publication date： Oct. 26, 1993
Summary：

【要約】【目的】 磁界電流密度の高い酸化物系超電導体を簡単な製造工程で製造する方法を提供することを目的とする。【構成】RE2 Cu2 O 5 (REはY,Sm,Eu,Gd,Dy,Ho,Er,Ybのグループより選ばれる希土類元素を示す),Ba酸化物,およびCu酸化物を原料として、混合・成型し、さらに熱処理を施すことにより超電導相を成長させることを特徴とするREBaCuO系酸化物超電導体の製造方法。

Claim (excerpt)：

RE2 Cu2 O 5 (REはY,Sm,Eu,Gd,Dy,Ho,Er,Ybのグループより選ばれる希土類元素を示す),Ba酸化物,およびCu酸化物を原料として、混合・成型し、さらに熱処理を施すことにより超電導相を成長させることを特徴とするREBaCuO系酸化物超電導体の製造方法。

IPC (3)：

C01G 3/00 ZAA ,  C01G 1/00 ,  H01B 12/00 ZAA

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 特開平1-160825
  
• 特開平1-093461
  
• 特開平2-204322
  
• 特開平3-141512
  
• 特開昭63-291857