半導体装置およびその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995243973
Publication number (International publication number)：1996321547
Application date： Aug. 30, 1995
Publication date： Dec. 03, 1996
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 Si-F基を含む絶縁膜とチタン系金属配線層を含む半導体装置のチタン系金属配線層と絶縁膜との界面において、配線膜の剥がれが生じない信頼性の高い半導体装置を提供する。【解決手段】本発明の半導体装置は、基板と、この基板の上部に形成されたSi-F結合基150を含有する絶縁膜15と、この絶縁膜上に形成されたチタン系金属配線層17を有し、前記チタン系金属配線層における弗素濃度が、1×1020atoms/cm3未満であることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

基板と、この基板の上部に形成されたSi-F結合基を含有する絶縁膜と、この絶縁膜上に形成されたチタン系金属配線層を有し、前記チタン系金属配線層における弗素濃度が、1×1020atoms/cm3 未満であることを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 21/768 , H01L 21/28 301 , H01L 21/3205

FI (4)：

H01L 21/90 K , H01L 21/28 301 R , H01L 21/88 M , H01L 21/90 M

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-319549 Applicant：日本電気株式会社
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-247820 Applicant：株式会社東芝

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