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J-GLOBAL ID：200903010324540408

めっき法による配線金属膜形成方法

Inventor： 奥野 明実 ,  西尾 幹夫 ,  遠藤 政孝 ,  橋本 伸
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993264586
Publication number (International publication number)：1995122556
Application date： Oct. 22, 1993
Publication date： May. 12, 1995
Summary：

【要約】【目的】 第一の金属膜上に、酸処理のみを施し、置換めっき法と、それに続く、無電解めっき法により、低比抵抗の配線金属を堆積させる。【構成】 バリヤメタル12上の銀よりも標準電位の低い第一の金属膜表面13を酸系溶液で活性化し、これに置換めっき法で銀14を堆積する。その後さらに、酸活性化処理を施した後、安定剤を混合した長寿命の浴中で、無電解めっき法により、銀堆積を行い銀膜15を形成する。これを熱処理し、密着性を高める。それを、CMPにより平坦化し、配線16として利用する。

Claim (excerpt)：

基板表面に第一の金属が形成された基板において、前記第一の金属上に置換めっき処理で第二の金属膜を堆積する工程と、前記第二の金属膜上に無電解めっき処理で第三の金属膜を堆積する工程とを備えるめっき法による配線金属膜形成方法。

IPC (6)：

H01L 21/3205 ,  C23C 18/52 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/288 ,  H05K 3/18 ,  H05K 3/24

FI (2)：

H01L 21/88 R ,  H01L 21/88 M

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 透明導電膜上への金メツキ方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-291228   Applicant：奥野製薬工業株式会社
• 特開昭59-016961
  
• 特開平2-094523