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J-GLOBAL ID：200903010428705018

レジスト材料、及びパターン形成方法

Inventor： 小林 知洋 ,  西 恒寛 ,  渡邉 聡 ,  金生 剛 ,  名倉 茂広 ,  石原 俊信
Applicant, Patent owner： 信越化学工業株式会社
Agent (1)： 小島 隆司 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002168143
Publication number (International publication number)：2003066612
Application date： Jun. 10, 2002
Publication date： Mar. 05, 2003
Summary：

【要約】【解決手段】 開環メタセシス重合体の水素添加物及びポリ(メタ)アクリル酸誘導体をベース樹脂として含有することを特徴とするレジスト材料。【効果】 本発明の高分子化合物をベース樹脂としたレジスト材料は、高エネルギー線に感応し、感度、解像性、エッチング耐性に優れているため、電子線や遠紫外線による微細加工に有用である。特にArFエキシマレーザー、KrFエキシマレーザーの露光波長での吸収が小さいため、微細でしかも基板に対して垂直なパターンを容易に形成することができるという特徴を有する。

Claim (excerpt)：

開環メタセシス重合体の水素添加物及びポリ(メタ)アクリル酸誘導体をベース樹脂として含有することを特徴とするレジスト材料。

IPC (3)：

G03F 7/039 601 ,  C08G 61/12 ,  H01L 21/027

FI (3)：

G03F 7/039 601 ,  C08G 61/12 ,  H01L 21/30 502 R

F-Term (22)：

2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA09 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BG00 ,  2H025CC20 ,  2H025FA03 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  4J032BA07 ,  4J032BA25 ,  4J032BB06 ,  4J032CA34 ,  4J032CA43 ,  4J032CA46 ,  4J032CB04 ,  4J032CB05 ,  4J032CE03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 開環メタセシス重合体の水素添加物、その用途及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-183991   Applicant：三井化学株式会社
• ポジ型フォトレジスト組成物およびパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-199038   Applicant：三井化学株式会社