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J-GLOBAL ID:200903010529704250

研磨パッド

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000393217
Publication number (International publication number):2002198335
Application date: Dec. 25, 2000
Publication date: Jul. 12, 2002
Summary:
【要約】【課題】半導体ウエハ上に微細なパターンが形成されており、該パターンの微小な凹凸を平坦化する研磨工程に使われる研磨パッドにおいて、ウエハ全面内において研磨量の均一性と、微小領域での凹凸平坦化特性という相反する要求に応え、なおかつスクラッチの発生の少ない半導体ウエハ研磨用パッドを提供するものである。【解決手段】半導体ウエハを研磨するのに用いる研磨パッドにおいて、該パッドの研磨層が多孔質ウレタン樹脂であり、多孔質にする為に中空樹脂粒子を混合する研磨パッドにおいて、該ウレタン樹脂に0.05wt%から1wt%の界面活性剤が添加されることを特徴とする半導体ウエハ研磨パッド
Claim (excerpt):
中空樹脂粒子を含有する研磨層を有する半導体ウエハ研磨パッドであって、該研磨層が0.05wt%〜1wt%の界面活性剤を含有することを特徴とする半導体ウエハ研磨パッド。
IPC (7):
H01L 21/304 622 ,  B24B 37/00 ,  B29B 11/16 ,  C08J 5/14 CFF ,  C08L 75/04 ,  C08L101:00 ,  C08L 83:00
FI (7):
H01L 21/304 622 F ,  B24B 37/00 C ,  B29B 11/16 ,  C08J 5/14 CFF ,  C08L 75/04 ,  C08L101:00 ,  C08L 83:00
F-Term (29):
3C058AA07 ,  3C058AA09 ,  3C058CB01 ,  3C058DA17 ,  4F071AA51X ,  4F071AA53 ,  4F071AA67X ,  4F071AA75 ,  4F071AD02 ,  4F071AE10 ,  4F071AF53 ,  4F071AH12 ,  4F071DA19 ,  4F071DA20 ,  4F072AA08 ,  4F072AB29 ,  4F072AD43 ,  4J002AA00X ,  4J002BD01X ,  4J002BD03X ,  4J002BG00X ,  4J002CF21X ,  4J002CK021 ,  4J002CK041 ,  4J002CP03Y ,  4J002CP18Y ,  4J002FA10X ,  4J002FD31Y ,  4J002GT00
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
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