磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果型ヘッドおよび磁気抵抗効果素子の製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山本秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998276181
Publication number (International publication number)：1999168250
Application date： Sep. 29, 1998
Publication date： Jun. 22, 1999
Summary：

【要約】【課題】従来のスピンバルブ膜では、MR比が低かった。【解決手段】交換バイアス磁界を付与する反強磁性体としてα-Fe2O3膜またはα-Fe2O3膜/NiO積層膜を用いることにより、大きなMR比を示す磁気抵抗効果素子を得る。

Claim (excerpt)：

非磁性基板上に直接または下地層を介して反強磁性体膜、第1の強磁性膜、非磁性膜および第2の強磁性膜を順次積層してなる多層膜から成る磁気抵抗効果素子であって、該反強磁性体膜は、α-Fe2O3膜を含んでおり、該多層膜の表面粗さが概略0.5nm以下である磁気抵抗効果素子。

IPC (4)：

H01L 43/08 , G11B 5/39 , H01F 10/08 , H01F 41/18

FI (4)：

H01L 43/08 Z , G11B 5/39 , H01F 10/08 A , H01F 41/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

絶縁ピン留め層を備えた巨大磁気抵抗センサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-112492 Applicant：ヒューレット・パッカード・カンパニー
磁気抵抗効果素子および磁気変換素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-267738 Applicant：ティーディーケイ株式会社
巨大磁気抵抗効果材料膜およびその製造方法とそれを用いた磁気ヘッド
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-244981 Applicant：アルプス電気株式会社

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