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J-GLOBAL ID：200903010699119556

プラズマCVD法による成膜方法

Inventor： 島田 浩行 ,  深田 武 ,  坂間 光範 ,  竹村 保彦
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994180947
Publication number (International publication number)：1996020874
Application date： Jul. 07, 1994
Publication date： Jan. 23, 1996
Summary：

【要約】【目的】 プラズマCVD装置において、成膜ダストを削減することを目的とする。【構成】 プラズマCVD装置において、プラズマを発生させるための交流電源として、高周波(周波数、10〜100MHz)を低周波(周波数、1k〜1MHz)で振幅変調し、これを極低周波(1〜200Hz)の繰り返し周波数でパルス発振させたものを用いることによって、成膜ダストを削減する。

Claim (excerpt)：

チャンバー内に設置されたプラズマ放電を発生する少なくとも一対の電極を有し、前記電極対から極低周波の繰り返し周波数でパルス的に高周波電力を前記電極に作用させることによってプラズマを発生させることを特徴とするプラズマCVD装置において、前記高周波電力は低周波の振幅変調がかけられていることを特徴とするプラズマCVD法による成膜方法。

IPC (4)：

C23C 16/50 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 ,  H05H 1/46

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 薄膜形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-200221   Applicant：日新電機株式会社