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J-GLOBAL ID：200903010704504323

微細構造体の形成方法およびその方法で形成された微細構造体

Inventor： 仲前 一男
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (6)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005006490
Publication number (International publication number)：2006195168
Application date： Jan. 13, 2005
Publication date： Jul. 27, 2006
Summary：

【課題】 マスクと基板との相対的な移動を不要とし、3次元の微細構造体を容易に形成することが可能な微細構造体の形成方法を提供する。【解決手段】 それぞれ露光感度波長の異なるレジスト層12,13を2層形成し、その後、パターンの異なる2枚の露光マスク110,120を用いて、2層のレジスト層12,13の露光を順次行なうことにより、最終的に鋳型となるレジスト層の平面と平行な平面内における露光光の露光量(光エネルギ)分布が連続的に変化するように制御でき、レジスト層12,13の各部での露光光の露光量(光エネルギ)分布に応じた深さの露光を可能とする。【選択図】 図2

Claim (excerpt)：

基板上に第1レジスト層を形成し、さらに、前記第1レジスト層の上に前記1レジスト層とは異なる複数のレジスト層を形成する工程と、 第1露光マスクを用いて、前記第1レジスト層および前記第1レジスト層とは別のレジスト層に所定パターンを露光し、第1露光領域を形成する工程と、 前記第1露光マスクとは異なる露光マスクを用いて、前記第1レジスト層とは異なるレジスト層にのみ所定パターンを露光し、この露光を複数回繰り返して露光領域を形成する工程と、 前記第1レジスト層および前記第1レジスト層とは別のレジスト層から前記第1露光領域および前記第1露光領域とは別の露光領域を除去して、微細構造体を形成する工程と、 を備える、微細構造体の形成方法。

IPC (2)：

G03F 7/20 ,  B81C 1/00

FI (2)：

G03F7/20 501 ,  B81C1/00

F-Term (6)：

2H097AA11 ,  2H097AA13 ,  2H097CA15 ,  2H097CA17 ,  2H097FA04 ,  2H097LA15

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• X線照射を用いた材料の加工方法及び加工装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-202223   Applicant：学校法人立命館