プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：西川惠清 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000157445
Publication number (International publication number)：2001334147
Application date： May. 26, 2000
Publication date： Dec. 04, 2001
Summary：

【要約】【課題】大型化することなく放射ノイズを極力低減することができるプラズマ処理装置を提供する【解決手段】大気圧近傍の圧力下で、片側を吹き出し口1として開放させた反応容器2内に高周波電圧を印加することによりプラズマを生成する。生成したプラズマを反応容器2の吹き出し口1よりジェット状に吹き出すプラズマ処理装置に関する。反応容器2内に高周波電圧を印加するための対をなす電極3、4と、対をなす電極3、4に逆位相の高周波電圧を印加するための逆位相印加手段5とを備える。基準電位点より計測した各電極3、4に印加される高周波電圧の値は、対をなす電極3、4の間の高周波電圧の値よりも低くすることができる。

Claim (excerpt)：

大気圧近傍の圧力下で、片側を吹き出し口として開放させた反応容器内に高周波電圧を印加することによりプラズマを生成し、生成したプラズマを反応容器の吹き出し口よりジェット状に吹き出すプラズマ処理装置において、反応容器内に高周波電圧を印加するための対をなす電極と、対をなす電極に逆位相の高周波電圧を印加するための逆位相印加手段とを備えて成ることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (3)：

B01J 19/08 , C23F 4/00 , H05H 1/46

FI (3)：

B01J 19/08 H , C23F 4/00 A , H05H 1/46 L

F-Term (27)：

4G075AA22 , 4G075AA24 , 4G075BC10 , 4G075BD03 , 4G075BD14 , 4G075BD24 , 4G075CA25 , 4G075CA47 , 4G075DA02 , 4G075EA01 , 4G075EB43 , 4G075EC01 , 4G075EC06 , 4G075EC21 , 4K057DA01 , 4K057DA20 , 4K057DE08 , 4K057DE14 , 4K057DE15 , 4K057DE20 , 4K057DM01 , 4K057DM06 , 4K057DM09 , 4K057DM20 , 4K057DM37 , 4K057DM40 , 4K057DN01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

表面処理方法及びその装置、半導体装置の製造方法及びその装置、並びに液晶ディスプレイの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-124250 Applicant：セイコーエプソン株式会社
特開平2-177429
プラズマ加工装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-039043 Applicant：株式会社テクノバ

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