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J-GLOBAL ID：200903010779719198

プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

Inventor：
田口 典幸

About 田口 典幸

, 
澤田 康志

About 澤田 康志


Applicant, Patent owner：
松下電工株式会社

About 松下電工株式会社


Agent (1)： 西川 惠清 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000157445
Publication number (International publication number)：2001334147
Application date： May. 26, 2000
Publication date： Dec. 04, 2001
Summary：
【要約】【課題】 大型化することなく放射ノイズを極力低減することができるプラズマ処理装置を提供する【解決手段】 大気圧近傍の圧力下で、片側を吹き出し口1として開放させた反応容器2内に高周波電圧を印加することによりプラズマを生成する。生成したプラズマを反応容器2の吹き出し口1よりジェット状に吹き出すプラズマ処理装置に関する。反応容器2内に高周波電圧を印加するための対をなす電極3、4と、対をなす電極3、4に逆位相の高周波電圧を印加するための逆位相印加手段5とを備える。基準電位点より計測した各電極3、4に印加される高周波電圧の値は、対をなす電極3、4の間の高周波電圧の値よりも低くすることができる。
Claim (excerpt)：
大気圧近傍の圧力下で、片側を吹き出し口として開放させた反応容器内に高周波電圧を印加することによりプラズマを生成し、生成したプラズマを反応容器の吹き出し口よりジェット状に吹き出すプラズマ処理装置において、反応容器内に高周波電圧を印加するための対をなす電極と、対をなす電極に逆位相の高周波電圧を印加するための逆位相印加手段とを備えて成ることを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (3)：
B01J 19/08 ,  C23F 4/00 ,  H05H 1/46
FI (3)：
B01J 19/08 H ,  C23F 4/00 A ,  H05H 1/46 L
F-Term (27)：
4G075AA22 ,  4G075AA24 ,  4G075BC10 ,  4G075BD03 ,  4G075BD14 ,  4G075BD24 ,  4G075CA25 ,  4G075CA47 ,  4G075DA02 ,  4G075EA01 ,  4G075EB43 ,  4G075EC01 ,  4G075EC06 ,  4G075EC21 ,  4K057DA01 ,  4K057DA20 ,  4K057DE08 ,  4K057DE14 ,  4K057DE15 ,  4K057DE20 ,  4K057DM01 ,  4K057DM06 ,  4K057DM09 ,  4K057DM20 ,  4K057DM37 ,  4K057DM40 ,  4K057DN01
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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Cited by examiner (4)
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